CARACTERISTICAS PRINCIPALES

La memoria HyperX DDR2, es la evolución de la siguiente generación en tecnología de memoria DDR. Como todos los productos HyperX de Kingston, los módulos HyperX DDR2 fueron específicamente creados y diseñados para cumplir con todos los requerimientos de los entusiastas del Ordenador Personal.

Los módulos de memoria HyperX DDR2 ofrecen velocidades más rápidas, bajas latencias, altas frecuencias y bajo consumo de energía. La tecnología HyperX esta disponible en kits de memoria de un solo canal y doble canal.

Foto 2: Vista general.

El embalaje de los módulos es el habitual en este tipo de productos. Un blister de plástico transparente sellado, que deja ver el producto en su parte frontal y que lo protege de golpes y manipulaciones.

Cada módulo DIMM se encuentra adecuadamente identificado con una etiqueta especial:

Foto 3: Detalle de la etiqueta identificativa de cada módulo de memoria.

Al ser módulos de memorias pareadas se nos presentan en conjunto 2 módulos DIMM de 1 Gigabytes de capacidad cada uno, para configurar un total de 2 Gigabytes de memoria principal.

Tecnología “Hyper X” de Kingston

Las principales ventajas de esta tecnología HyperX son las siguientes:

• Opera a 1,8 Voltios, tanto en el flanco alto del reloj, como en el bajo reduciendo el consumo de energía en, aproximadamente, un 50 % (en relación a la memoria DDR)
• La terminación de la señal de la memoria dentro del chip de memoria ("On-Die Termination") previene que se reflejen errores en la transmisión de la señal.
• Realces operacionales para incrementar el rendimiento de la memoria, la eficiencia y los márgenes de sincronización (tiempos)
• Latencias CAS: 3, 4 y 5
• Actualmente están disponibles en velocidades hasta de 1.2GHz y capacidades hasta de 2GB

Las principales características técnicas de la memoria Hyper X son las siguientes:

• Alimentación: Vdd: 1,8V ± 0,1V, Vddq: 1,8V ± 0,1V
• Arquitectura “Double-Data-Rate” DDR2: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• Data strobe bidireccional (DQS)
• Entradas de reloj diferenciales (CK y CK)
• DLL que alinea las transiciones de DQ y DQS con las del reloj CK
• Latencia de lectura programable 5 (reloj)
• Longitud de Burst: 4, 8 (Entrelazado/nibble secuencial)
• Tipo de burst programable (secuenciado y entrelazado)
• Referencia de Timings: 5-5-5-15 a +1,8V / 5-5-5-15 a +2,2V
• Salida de datos alineada en el extremo y entrada de datos alineada en el centro
• Refresco Automático y autónomo, Intervalo de refresco de 7,8us (refresco 8K/64ms)
• Detección de Presencia Serial (SPD) con EEPROM

Dimensiones físicas:

• Placa de circuito impreso PCB: Altura 1,180” (30 mm), con componentes por una sola cara

Características especiales:

• Disipador de calor de alto rendimiento en aluminio mecanizado

Rendimiento:

• Tiempo de ciclo de reloj “Clock Cycle Time” (tCK) CL=5: 2,5ns (min.) / 8ns (max.)
• Tiempo de ciclo de fila “Row Cycle Time” (tRC): 51,5ns (min.)
• Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFC): 105ns
• Tiempo para fila active “Row Active Time” (tRAS): 39ns (min.) / 70,00ns (max.)
• Alimentación eléctrica (Vdd): +1,8V (+/- ,1V)
• Consumo: 2,025 W (por modulo DIMM)
• Ratio UL: 94 V - 0
• Temperatura de operación: 0º C a 55º C
• Temperatura de almacenamiento: -55º C a +125º C